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GE+EL vAC/DC SIC
소 개 그리드 시뮬레이터, 전자부하 및 양방향 DC를 포함한 기능이 하나의 시스템에 적용
SIC MOSFET기술을 적용하여 고속 스위칭 가능한 제품
사 양 AC 전압 범위 (Y결선, 델타결선, 독립 3채널 구성가능)
범위: 0 ~ 295Vrms phase-neutral / 0 ~ 510Vrms phase-phase

DC 전압 범위
범위: 2Q: 20 ~ 750V (800V with High Voltage option)
4Q: 0 to +350V / 0 to -350 (+ rail / 0 / - rail, Bipolar configuration)

Power Amplifier (PHiL)
Analogue Input - Real Power Output 딜레이 : 150 μs
Real Power Output - Analogue Output Signa 딜레이 : 130 μs
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GE+EL vAC/DC SiC는 단일 캐비닛에 Cinergia의 모든 제품의 기능을 갖추고 있으며 견고성, 효율성 및 품질을 정의하는 모든 기증과 함께 제품을 더 높은 성능으로 향상시키는 최첨단 기술을 갖추고 있습니다. SiC 기술이 적용된 이 만능형 컨버터 파워는 신재생 에너지, 스마트 그리드, Power HiL, 배터리 및 전기 자동차 분야의 대부분의 테스트 애플리케이션에 적합 합니다.

해당 요구사항을 충족하기 위하여 SIC MOSFET기술을 적용하였으며 고속 스위칭을 가능하게 해줍니다.





제품 모델



** 마스터 - 슬레이브 병렬 연결을 통한 용량 확장 가능


고속 주파수 스위칭의 이점

스위칭 전력 변환기에서 전력 반도체는 완전히 꺼짐(제로 전류) 또는 완전히 켜짐 (제로에 가까운 전압)인 두 가지 상태로 작동합니다. 한 상태에서 다른 상태로 저니하는 동안 전압과 전류는 즉시 변하지 않으므로 짧은 시간 동안은 둘다 0이 아닙니다. 이 전류와 전압 교차는 15kHz에서 발생하는 각 스위칭 사이클에서 반도체에 전력 손실을 발생시키게 됩니다.

SIC MOSFET의 주요 이점은 빠른 스위칭 시간이며 전압과 전류의 크로스 오버되는 기간을 감소 시킵니다. 그렇게 되면 각 동작에서 발생하는 손실이 감소하게 되는 것입니다.

각 정류에서의 손실이 감소함에 따라 표준 IGBT에 비해 총 손실을 증가시키는 것에 비해 스위칭 손실을 감소 시키지 않으면서 SIC MOSFET의 스위칭 주파수를 증가실 수 있습니다.

변환기의 스위칭 주파수가 증가하면 출력 필터링 단계를 감소시킬 수 있고 출력 필터링 단계를 감소 시킬 수 있습니다. 즉, 동일한 출력 리플에 대한 감쇠가 덜 필요합니다. 이는 필터의 차단 주파수가 증가함을 의미하며 따라서 이 필터의 공진 주파수도 증가함을 의미합니다. 이러한 효과는 제어의 대역폭을 증가시켜 전체 변환기의 대역폭을 증가 시킵니다.




대역폭(Bandwidth)

컨버터의 대역폭이 더 크면 빠르게 변화하는 고주파 신호를 제어할 수 있는 용량이 더 좋아지기 때문에 다음과 같은 직접적인 이점을 제공합니다.

출력 전류 및 전압의 높은 슬류 레이트는 장비가 파워 앰프 모드에서 사용될 때 특히 잘 나타납니다.

또한 출력에 연결된 장비로부터의 빠른 과도현상과 방해를 제공하면서 주어진 설정 값을 유지하는 다른 모드에서도 매우 유용합니다.

10Hz ~ 1000Hz의 기본 주파수를 생성할 수 있는 용량.

장비의 전압, 주파수 한계가 46000V·Hz에서 23000V·Hz로 증가하여 더 높은 진폭과 주파수(230V @ 1000Hz)및 더 많은 고조파 함량을 기본화 할 수 있습니다.

최대 5000Hz 까지의 고조파 제어 개선


스위칭 노이즈(Aucoustic noise)

IGBT를 사용하는 동일한 파워 장비는 15kHz의 스위칭 주파수를 가지고 있으며 이는 인가의 가청 범위 (20~20kHz)에 속하기 때문에 여전히 스위칭 노이즈가 들리게 됩니다. 하지만 Cinergia 장비는 SIC MOSFET 덕분에 스위칭 노이즈가 최대 60kHz까지 증가하여 스위칭 소리가 완전히 들리지 않게 됩니다. R&D 연구소나 사무실에서도 소리로 인한 방해 없이 사용이 가능합니다.






DC 모드 전류

컨버터에 사용되는 SIC MOFET은 다이오드를 반평행으로 포함하고 있는데 이는 표준 실리콘 다이오드보다 우수한 전기적 특성 즉, 스위칭 및 전도 손실을 가지고 있습니다. 이는 전체적인 손실을 줄이는데 도움이 되지만 한편으로 공칭 전류와 저전압에서 DC 테스트를 할 때 제한 요인이 되는 높은 재순환 전류를 허용하게 해줍니다. 이 SIC 다이오드 덕분에 Cinergia 장비는 AC모드와 동일한 전류 용량을 DC에서 사용할 수 있습니다.


AC 모드



DC 모드



오퍼레이션 모드 및 파워 앰프 모드(PHiL)

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